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受邀撰写了NatureNanotechnology，公示个参AdvancedElectronicMaterials，ScienceBulletin等期刊综述。 周鹏，力市博士，现为复旦大学微电子学院教授，博士生导师。
场化b）Al/MAPbI3/FTO器件的快速光电响应。【图文导读】图一、发电忆阻器导电通道过度生长模型，发电电流过冲效应分析示意图及MAPbI3材料/器件表征a）忆阻器电流过冲效应导致的过度生长的导电通道模型示意图。【研究背景】忆阻器具有功耗低、企业读写速度快、企业集成密度高等优势，在信息存储、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的变革性技术。
【成果简介】最近，名单东北师范大学徐海阳教授、名单刘益春教授课题组与复旦大学周鹏教授合作，提出光电协同器件初始化的全新策略，在器件电初始化过程中引入光辐照，有效抑制了电流过冲效应，避免了初始化过程中缺陷的过量增殖和导电通道的过度生长，实现了杂化钙钛矿忆阻器件阻变参数稳定性和擦写循环耐受性的显著提升，并获得了低功耗忆阻器件。研究成果以题为PhotoassistedElectroformingMethodforReliableLow-PowerOrganic–InorganicPerovskiteMemristors发表在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上，冀北交易并被选为当期背封面做简要介绍。
国家杰出青年科学基金获得者，公示个参中国科学院百人计划，教育部跨世纪优秀人才。
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